果肉系列 突发又来！好意思国将所有这个词HBM纳入管控，限制24种半导体开采，三种软件

果肉系列

3日，好意思国商务部工业和安全局 (BIS) 文书了一系列功令，旨在进一步缩小中国出产先进节点半导体的智商

据报说念，这些功令包括对 24 种半导体制造开采和 3 种用于开发或出产半导体的软件器具实施新的抑遏；对高带宽内存 (HBM) 实施新的抑遏；新的红旗指南（red flag guidance）以搞定合规性和转机问题；140 项实体清单新增和 14 项修改涵盖中国半导体器具制造商、半导体工场和投资公司；以及几项关节监管变化，以提高咱们之前抑遏措施的有用性。

好意思国商务部长吉娜·雷蒙多示意：“这一滑动是拜登-哈里斯政府与咱们的盟友和配结伙伴共同选拔的针对性措施的顶峰，旨在缩小中国脉土化出产先进时刻的智商。”“进一步加强咱们的出口管制突显了商务部在实践好意思国更庸俗的国度安全计谋方面的中枢作用。莫得哪届政府比拜登-哈里斯政府在通过出口管制计谋性地卤莽中国方面更为严厉。”

国度安全照看人杰克·沙利文示意：“好意思国已选拔首要措施保护咱们的时刻，退缩其被敌手以恫吓国度安全的形状使用。跟着时刻的发展，咱们的敌手束缚寻求新的形状来侧目限制，咱们将连续与咱们的盟友和配结伙伴配合，积极主动地保护咱们寰球率先的时刻，并知说念怎么保护它们，以免它们被用来浮松咱们的国度安全。”

为了达成这些成见，BIS 正在实施多项监管措施，包括但不限于：

一、对出产先进节点集成电路所需的半导体制造开采实施新抑遏，包括某些蚀刻、千里积、光刻、离子注入、退火、计量和稽查以及清洁器具。

二、对开发或出产先进节点集成电路的软件器具实施新抑遏，包括某些可提高先进机器出产率或允许较不先进的机器出产先进芯片的软件。

三、对高带宽内存 (HBM) 实施新抑遏。HBM 对大限度 AI 稽查和推理齐至关要紧，是先进筹备集成电路 (IC) 的关节组件。新抑遏适用于好意思国原产的 HBM 以及凭证先进筹备番邦径直家具 (FDP) 功令受 EAR 经管的番邦出产的 HBM。凭证新的 HBM 许可例外，某些 HBM 将有经验取得授权。

四、实体名单新增 140 家实体，并作出 14 项修改，包括半导体工场、器具公司和投资公司。

五、制定两项新的番邦径直家具 (FDP) 功令和相应的最低戒指轨则：

1、半导体制造开采 (SME) FDP：淌若“洞悉”番邦出产的商品运往澳门或 D:5 国度组（包括中国）的成见地，则扩大对特定番邦出产的 SME 和联系物品的统领权。

2、脚注 5 (FN5) FDP：淌若“洞悉”实体名单上的或被列入 FN5 指定实体名单的实体参与某些行动，则扩大对特定番邦出产的 SME 和联系物品的统领权。此类实体被列入实体名单，是因为实体名单配套功令中所述的特定国度安全或应酬政策问题。

3、最低戒指：扩大对上述 FDP 功令中所述的特定番邦出产的 SME 和联系形状的统领界限，这些形状包含任何数目的好意思国原产集成电路。

六、新的软件和时刻抑遏，包括对电子筹备机补助缱绻 (ECAD) 和时刻筹备机补助缱绻 (TCAD) 软件和时刻的限制，当“知说念”这些形状将用于缱绻将在澳门或国度组 D:5 的成见地出产的先进节点集成电路时。

七、向 EAR 清楚计议软件密钥的现存抑遏。出口管制面前适用于允许看望特定硬件或软件的使用或续订现存软件和硬件使用许可证的软件密钥的出口、再出口或转让（国内）。

具体而言，好意思国在联系文献顶用了以下态状：

对于HBM的限制

好意思国方面示意，由于先进内存芯片可用于军事、谍报和监视，因此抑遏先进内存芯片是国度安全的关节。特别是，先进的东说念主工智能模子依赖于一种称为 HBM 的先进内存，着实所有这个词用于先进东说念主工智能数据中心的先进筹备 IC 中齐有这种内存。

跟着先进逻辑速率的提高，内存容量和带宽也需要类似地加多；不然，就无法达成处理器的全部功能。在先进的东说念主工智能和超等筹备中，先进的逻辑芯片必须与先进的内存配对，以幸免这种内存瓶颈。因此，HBM 对大限度东说念主工智能稽查和推理齐至关要紧果肉系列，亦然先进筹备 IC 的关节组件

基于上述 HBM 的要紧性，BIS 正在向 ECCN 3A090.c 添加新的 ECCN 抑遏，以抑遏具有特定内存带宽密度的 HBM 堆栈。与一般的销耗级动态立地存取存储器 (DRAM) 芯片不同，HBM 单元针对额外高的内存带宽进行了优化，因此该阈值将严格针对 HBM 进行抑遏。BIS 使用带宽密度（而不单是是带宽）来确保淌若 IC 使用多量较小的 HBM 芯片且额外老本很少，则抑遏仍然适用。由于中国脉土的先进筹备 IC 依赖入口的 HBM，新的 ECCN 3A090.c 实施限制以减缓中国脉土化先进 AI 芯片出产的尝试，如上所述，这激励了国度安全和应酬政策担忧。

凭证 ECCN 3A090，本 IFR 加多了新的形状段落 .c，以对某些 HBM 商品实施新的基于 CCL 的管制。此外，凭证 § 734.9(h) 中的高等筹备 FDP 功令，淌若番邦出产的 3A090.c 物品顺应该 FDP 功令的界限，则将受 EAR 管制。凭证新的 3A090.c，本 IFR 将管制“内存带宽密度”大于每宽泛毫米 (mm) 每秒 2 GB 的 HBM。现时出产的所有这个词 HBM 堆栈齐卓著了此阈值。

换而言之，着实所有这个词的现存HBM，中国厂商齐不可爽朗买到。

本 IFR 还为 3A090.c 添加了时刻证明，以便为本 ECCN 界说“内存带宽密度”是封装或堆栈的内存带宽（以 GB 为单元）除以封装或堆栈的面积（以宽泛毫米为单元）。3A090.c 的新时刻证明中包含一句话，以清楚当堆栈包含在封装中时，应使用封装开采的内存带宽和封装的面积对形状进行分类。3A090.c 的新时刻证明中还包含一句话，强调高带宽内存包括动态立地存取存储器集成电路，无论它们是否顺应高带宽内存的 JEDEC 方法，独一它们的“内存带宽密度”大于每宽泛毫米每秒 2 GB。终末，3A090.c 的时刻证明轨则，某些共封装集成电路不属于 3A090.c 的界限，因为此抑遏不涵盖同期具有 HBM 和逻辑的共封装集成电路，而共封装集成电路的主邀功能是处理。时刻证明进一步清楚，此抑遏包括弥远固定在逻辑集成电路上的 HBM，该逻辑集成电路缱绻为抑遏接口并包含物理层 (PHY) 功能。包含共封装逻辑和 HBM 的高等筹备 IC 不受 3A090.c 抑遏，但它们可能受其他 ECCN（举例 3A090.a 或 3A090.b）抑遏，具体取决于它们的总体处感性能 (TPP) 和性能密度。

本 IFR 对 ECCN 3A090.c 下的 HBM 堆栈实施了这些新管制，因为这些商品是制造高等筹备 IC 的“出产”经过的要紧组成部分，而在本 IFR 之前，这些商品并未受到 ECCN 3A090 的管制。为了更有用地搞定 ECCN 3A090 下的国度安全和应酬政策问题，BIS 加多了对 HBM 的管制，成人小说以退缩中国以偏激他令东说念主担忧的成见地出产包含 HBM 的高等筹备 IC。

淌若这些 HBM 堆栈被整合到 IC 或更高等别的商品（举例筹备机或电子组件）中，则 ECCN 3A090.a、.b、4A090.a 或 .b 或相应的 .z 管制可能会对含有 HBM 的商品实施管制。国度安全和应酬政策情切的要点是 3A090.c 所涵盖的行动孤苦商品出口的 HBM（即未整合到更高等别的商品中）。当 3A090.c 商品被整合到另一种商品（举例 3A090.a、.b 或其他商品）中时，适用于这些其他商品的 EAR 管制足以搞定这些 3A090.c 商品的出口管制问题。

对于先进芯片的限制

好意思国轨则，淌若逻辑芯片使用非平面晶体管架构，后者使用14/16nm或者更小的工艺，当 DRAM 集成电路的存储单元面积小于 0.0019 宽泛微米 (µm2) 或存储密度大于每宽泛毫米 0.288 千兆位时，当NAND卓著128层，该集成电路顺应“先进节点集成电路（先进节点 IC）”的界说

好意思国在IFR文献中进一步示意，针对某些对出产具有要紧军事应用的“先进节点集成电路”至关要紧或提供因循的 SME 实施了新的 FDP 功令（SME FDP）。本临时最终功令还针对实体清单中指定了新脚注 5 的实体（FN5 FDP）实施了新的 FDP 功令。被添加到实体清单中并指定为脚注 5 的实体是因为实体清单功令中所述的特定国度安全或应酬政策问题，包括因循或有可能因循中华东说念主民共和国开发和出产“先进节点集成电路”的力争。

正如 10 月 7 日的 IFR、SME IFR 以及本 IFR 中所述，出产“先进节点 IC”的智商是一种力量倍增时刻，对国度安全和应酬政策具有要紧好奇。SME 是出产“先进节点 IC”所必需的，而出产“先进节点 IC”的智商对国度安全至关要紧的多样时刻生态系统齐有影响。举例，“先进节点 IC”相对于旧的 IC 时刻提高了筹备智商和结果，达成了下一代自主火器系统所需的筹备微型化，以及百亿亿次超等筹备和先进东说念主工智能智商所需的筹备推广。

尤其是，大限度东说念主工智能模子的越过已骄气出惊东说念主的性能提高，可用于先进的军事和谍报应用。这些大限度东说念主工智能模子概况快速审查多量信息并将其抽象成易于交融和可操作的要点，使其额外顺应战场智商，从而有可能改变干戈的性质。它们还可能通过缩短开发网罗火器或化学、生物、辐照或核火器的门槛来扩散危急智商，开发与国度安全应用联系的具有越来越自主智商的器具，并期骗面部和语音识别来监视少数民族和政事异见东说念主士，从而对国度安全和应酬政策组成恫吓。

如上所述，BIS 连续通过实施抑遏措施来缩短好意思国时刻对中国开展这些行动的智商形成的风险，从而促进好意思国的国度安全和应酬政策利益。具体而言，BIS 对用于出产“先进节点 IC”的 SME 及联系零部件实施了抑遏。BIS 还在 § 734.9 中加多了几项 FDP 功令，以将 EAR 的统领界限扩大到其他番邦制造的物品，包括对 § 734.9(e) 的改造，为实体清单上的某些实体加多了新的家具界限和最终用户界限。本 IFR 还改造了 § 734.9(e)（实体清单 FDP 功令）的小序，以援用此新的 FN5 FDP，并改造了段落标题，因此它援用了实体清单 FDP 功令，以反应段落 (e) 下态状了多个实体清单 FDP 功令。

尽管这些抑遏措施是有用的，但 BIS 发现，中国联系实体仍在连续购买好意思国境出门产的中小企业家具，包括使用好意思国时刻、软件或器具出产的中小企业家具，以及使用集成电路等组件的中小企业家具，这些组件是中小企业家具功能所必需的，亦然使用好意思国时刻、软件或器具出产的。因此，好意思国时刻、软件和器具仍然是中国联系实体所购买的中小企业家具的出产或功能的关节。

凭证这些发现，本 IFR 实施了 SME FDP 和 FN5 FDP，将对某些用于出产“先进节点集成电路”的 SME 物品实施额外管制，如下文第 2 节所述。这两项 FDP 齐将管制使用好意思国原产“时刻”或“软件”制造或开发的器具、“时刻”和“软件”家具，或包含使用好意思国原产“时刻”或“软件”家具的器具制造的番邦家具。与 10 月 7 日的 IFR 和 SME IFR 先前实施的管制同样，SME FDP 和 FN5 FDP 功令的成见是缩短好意思国时刻将匡助中华东说念主民共和国出产恫吓好意思国国度安全和应酬政策利益的“先进节点集成电路”的风险。如下文所述，中小企业 FDP 和 FN5 FDP 功令只是承认，某些中小企业物品（当它们原产于好意思国时，运往国度组 D:5 或澳门的先进制造设施时已受到全面限制）在运往外洋出产的此类实体时，淌若它们是径直使用好意思国“时刻”出产的，或含有淌若莫得好意思国“时刻”就无法出产的关节部件，也应受到管制。

好意思国方面示意，“高等节点 IC”包括餍足某些时刻参数的逻辑、DRAM 和 NAND IC。此 IFR 更新了界说高等节点 DRAM IC 的时刻参数。往常的界说使用半间距来表征高等节点 DRAM IC。然则，该界说允许制造设施通过使用更紧凑的存储单元架构以及在三维中堆叠 DRAM 来显耀提高内存密度，而无需餍足界说，从而幸免抑遏。此外，往常的界说莫得捕捉 HBM，这对于前沿 AI 稽查和推理至关要紧，而且频频与用于数据中心 AI 和超等筹备的高等逻辑芯片一说念封装。

本 IFR 中的界说使用内存密度和内存单元面积方法，该方法既涵盖内存单元微型化方面的阐明，也涵盖 HBM 和其他内存开采，这些开采垂直堆叠 DRAM 层，以达成更高的密度，而无需减小半间距。时刻证明还界说了单元面积。高等节点 DRAM IC 界说的这一变化的成见不是改变最终用户抑遏确现时影响，而是退缩可能的改日变通方法，尤其是为高等筹备 IC 出产高带宽内存。行动一项顺应要求的变更，对第三段的援用已从界说属目 1 中删除。

本 IFR 还删除了界说的时刻属目，因为由于对此界说进行了其他清楚性改换，特别是对“高等节点集成电路”界说添加了新的属目 2，因此不再需要该属目。本 IFR 为“高等节点集成电路（高等节点 IC）”界说添加了新的属目 2，以指定内存密度以千兆字节 (GB) 为单元测量封装或堆栈的内存容量，除以以宽泛毫米为单元测量的封装或堆栈的占用空间。属目 2 还清楚了，淌若堆栈包含在封装中，则应在分类中使用封装的面积。终末，属目 2 指定单元面积界说为字线 * 位线（同期议论了晶体管和电容器的尺寸）。

本 IFR 在 § 744.23 中加多了新的段落 (a)(2)(iii)，以清楚 § 744.23(a)(2) 限制提供受 EAR 经管的电子筹备机补助缱绻 (ECAD) 和时刻筹备机补助缱绻 (TCAD)“软件”和“时刻”，前提是“您知说念”这些“软件”和“时刻”将用于缱绻“先进节点 IC”，而该 IC 的后续“出产”将在澳门或国度组 D:5 的成见地进行。

本 IFR 还在 § 744.23 中加多了新的段落 (a)(2)(iv)，以添加“先进节点 IC”甩掉条目，以指定段落 (a)(2)(i) 和 (ii) 中指定的形状的许可要求，而这些形状的成见地为脚注 5 指定的实体，不受本节中的许可要求的经管。本 IFR 添加了此项甩掉，因为这些脚注 5 实体的“实体清单”许可要求依然对这些形状施加了许可要求，因此不需要凭证 § 744.23(a)(2)(i) 和 (ii) 附加许可要求来保护这些实体的好意思国国度安全和应酬政策利益。

3B993.q.2 抑遏可提高光刻开采叠层精度的计量开采。叠层精度对于多重图案化额外要紧，多重图案化是一种使传统光刻机概况创建“高等节点 IC”的经过。3B993.q.2 侧重于两种类型的机器。3B993.q.2.a 抑遏测量晶圆形势的机器（频频用于将测量值前馈给光刻机）。3B993.q.2.b 抑遏测量光刻胶显影后的焦点和叠层（频频用于反馈给光刻机）的机器。3B993.q.2.a 仅抑遏孤苦开采（而不是集成到光刻机自己的开采），而 3B993.q.2.b 抑遏缱绻用于集成到轨说念的机器（可最猛进度地提高朦拢量）。3B993.q.2.b 还轨则，机器必须具有快速波长切换功能，而且叠加测量精度优于 0.5 nm。3B993.q.2 还包含时刻证明，以清楚抑遏中的术语。即，这些轨则，就 3B993.q.2 而言，“track”是专为涂覆和显影光刻用光刻胶而缱绻的开采，而“快速波长切换功能”是指开采不错改变测量波长并在不到 25 毫秒的时辰内取得测量值。

3B994.b.2 管制某些离子注入开采。3B994.b.2.a 管制低电流和中电流离子注入开采。这种开遴选于先进工艺，以保抓先进出产中制造的最小晶体管的低毁伤和高均匀性。3B994.b.2.b 管制高能量、低电流系统，该系统可在晶圆名义以下较深浅度处注入掺杂剂，用于某些先进工艺。

3B994.b.2.c. 管制可保抓离子束和基板之间高角度精度的系统，用于注入“先进节点 IC”中使用的非平面晶体管结构。

3B994.q.3 管制使用光学测量时刻和先进软件来征服半导体晶圆上图案三维结构的开采。此类时刻可用于监控和优化“先进节点集成电路”中使用的非平面晶体管的制造工艺。

对于半导体开采的限制

在半导体开采方面，好意思国也作念了诸多限制。

开始看蚀刻方面。3B001.c.3 抑遏用于封装包含硅通孔 (TSV) 的芯片（举例 HBM 芯片）的蚀刻开采。3B001.c.3 轨则的开采实践“走漏蚀刻”（reveal etch），即从晶圆后面去除硅并“走漏”通孔以进行后续封装门径。为了在多数目制造中以高产量实践此经过，此开采经受格外检测走动除高度精准厚度的材料以及“工艺均匀性调度”，3B001.c.3 时刻证明中将其界说为抵偿晶圆研磨经过形成的传入晶圆厚度变化的智商。

3B001.c.4 管制用于制造 TSV 的蚀刻开采，这些 TSV 是通过开始蚀刻高纵横比孔形成的。该管制轨则了用于 TSV 蚀刻的开采，其纵横比大于或便是 10:1，BIS 合计这态状了先进封装应用中使用的 TSV，但不适用于传统工艺中使用的 TSV。该管制进一步轨则，开采产生的不均匀性低（小于 2%）且蚀刻速率高（大于每分钟 7 微米），这对于保抓多数目制造所需的朦拢量和良率额外要紧。

BIS 指出，3B001.c.4 项列在 3B001 下，以反应它们受国度组 D:5 或澳门中指定的成见地许可证要求的经管。淌若第 744.23 条不适用，且凭证第 744 部分的其他轨则不需要许可证，则将凭证具体情况审查苦求。

3B993.c.2 抑遏用于制造动态立地存取存储器 (DRAM) 芯片的蚀刻开采。跟着 DRAM 单元尺寸的减小，存储器单元内所有这个词特征的横向尺寸也需要缩小。至关要紧的是，这触及缩小用于存储单元中包含的信息位的电容器的直径。制造这种电容器的一个门径是将高纵横比特征蚀刻到介电材料中。因此，该抑遏侧重于概况将介电材料蚀刻到纵横比大于 30:1 的开采。此外，它轨则开采不错创建横向尺寸小于 40 纳米的启齿（对于顺应单个高等 DRAM 存储器单元的电容器而言是必需的）。此抑遏还包含一个属目，以指定它不适用于为直径小于 300 毫米的晶圆缱绻的开采。

其次看光刻开采方面，新的 3B001.f.5 抑遏概况出产“先进节点 IC”的纳米压印光刻开采。为此，开采必须具有较小的访佛精度，在此抑遏中访佛精度（overlay accuracy）小于 1.5nm。BIS 还针对不太先进的纳米压印光刻时刻制定了联系的新抑遏，即下文所述的 3B993.f.2 段。

3B001.o.1 和 3B001.o.2 移至新段 3B993.o.1.a 和 o.1.b。因此，抑遏文本被删除，并保留该段。

新段落 3B001.p.4 抑遏单晶圆清洗开采，这是先进工艺所必需的，因为与批量清洗系统比较，先进工艺需要对沾污等变量进行更严格的抑遏。3B001.p.4 推广了往常的 3B001.p.3（现时 3B993.p.3），删除了“名义改性干燥”参数。由于名义张力导致图案垮塌，该时刻对于起先进的工艺来说可能具有挑战性。3B001.p.4 抑遏另一种时刻，即使用二氧化碳 (CO2) 的超临界或升华干燥。

3B001.r. 旨在抑遏专为千里积或去除工艺而缱绻的开采，这些工艺可改善 EUV 光刻达成的合座图案化。计议这些迁徙的更多配景信息，请参阅第 III.D.4 节下移至新 ECCN 3B993 的 ECCN 3B001 商品的 Crosswalk。

由于七种商品与节点无关且在非先进节点制造应用中已竖立用途，它们从往常的 ECCN 3B001 段落移至新的 ECCN 3B993。这些商品包括往常的段落 3B001.c.1.b（高纵横比蚀刻）、3B001.d.14（而已生成解放基补助电介质千里积）、3B001.d.16（电介质千里积）、3B001.f.1（不太先进的 DUV 光刻开采）、3B001.o.1（退火开采）以及 3B001.p.1 和 p.3（清洁开采）中的商品。BIS 还将其他几种商品添加到新的 3B993 ECCN 中。

新的段落 3B993.b.1 增强了 2B005.b、3B001.b 和 3B991.b.1.g 中现存的离子注入抑遏。3B993.b.1 抑遏实践“等离子掺杂”的开采，这种开采概况将掺杂原子千里积到 FinFET 和 GAAFET 等 3D 结构的侧壁中。该抑遏还轨则了开采的几个属性，包括它不错经受的晶圆尺寸（直径 300 毫米）、它使用的电源（至少一个射频源和至少一个脉冲直流源）以及它不错注入的原子种类（即 n 型或 p 型掺杂剂，这是用于调度半导体材料电气特质的原子种类）。

3B993.c.1 (原 3B001.c.1.b) 管制某些缱绻或改装用于各向异性干法蚀刻的开采。通过 3B993.c.1 中态状的特征增强的原子层蚀刻可产生高质料、顶端先进开采和结构所需的垂直旯旮，包括 GAAFET 和类似的 3D 结构。此管制包括一条属目，奉告公众 3B993.c.1 包括通过“解放基”、离子、礼貌反应或非礼貌反应进行的蚀刻。此外，它还包括一条时刻属目，用于界说属目中使用的术语“解放基”。

3B993.c.2 管制用于制造动态立地存取存储器 (DRAM) 芯片的蚀刻开采。跟着 DRAM 单元尺寸的减小，存储器单元内所有这个词特征的横向尺寸也需要缩小。至关要紧的是，这触及到缩小用于存储单元中包含的信息位的电容器的直径。制造这种电容器的一个门径是将高纵横比特征蚀刻到介电材料中。因此，抑遏要点情切概况将介电材料蚀刻到纵横比大于 30:1 的开采。此外，它轨则开采不错创建横向尺寸小于 40 纳米的启齿（对于顺应单个高等 DRAM 内存单元的电容器而言是必需的）。此抑遏还包含一个属目，以指定它不适用于为直径小于 300 毫米的晶圆缱绻的开采。

由于限制太复杂了，我就不逐一将其列举果肉系列，总之“废弃幻念念，干涉交往。”